TY - A2的高,郝AU - Mo, Jiongjiong盟——陈,华盟——王知宇盟- Yu Faxin PY - 2017 DA - 2017/02/20 TI - MOSFET高频InGaAs氮化与井壁设计低功耗应用SP - 4078240六世- 2017 AB - 我 n x G 一个 1 - x 一个 年代 由于其优异的电子迁移率和小的带隙，器件在低功率高频应用领域得到了广泛的研究。再生源/漏极技术在InGaAs MOSFET中受到高度重视，因为它能够减少离子注入引起的热收支，并降低源/漏极电阻。然而，再生源漏技术存在着寄生电容大、栅侧栅极边缘电场强等问题，会导致漏极漏电流大，影响频率性能。为了缓解低功耗应用中漏极漏电流问题，并提高高频性能，一种新型硅_3.N₄在InGaAs MOSFET中引入了侧壁结构。对新提出的不同侧壁设计进行了设备仿真。结果表明，硅的加入降低了漏极漏电流和源极/漏极寄生电容_3.N₄InGaAs MOSFET中InP扩展层的侧壁。仿真结果还表明，新创建的“凹式”侧壁能够在没有电流牺牲的情况下获得最优频率特性。SN - 1687-725X UR - https://doi.org/10.1155/2017/4078240 DO - 10.1155/2017/4078240 JF - Journal of Sensors PB - Hindawi KW - ER -