TY -的A2 -金,唱子非盟-尤索夫Khairul爱実AU -阿卜杜勒拉赫曼Rohanieza盟——Zulkefle穆罕默德AlHadi AU -赫尔曼,Sukreen Hana AU -阿卜杜拉,Wan Fazlida Hanim PY - 2016 DA - 2016/08/18 TI - EGFET pH传感器性能气急败坏的TiO的依赖₂传感膜淀积温度SP - 7594531六世- 2016 AB -二氧化钛(TiO₂)薄膜被气急败坏的无线电频率(RF)磁控溅射方法,曾作为扩展的传感膜栅场效应晶体管(EGFET) pH值传感检测应用程序。TiO的₂薄膜沉积在氧化铟锡(ITO)镀膜玻璃基板在室温和200°C,分别。沉积温度对薄膜性能的影响和pH检测应用进行了分析。TiO的₂样品用作EGFET传感膜pH-sensor和电流电压( 电流-电压)、磁滞和漂移特性检查。TiO的敏感性₂EGFET传感膜得到的传输特性( 电流-电压)为不同的衬底加热温度曲线。TiO₂薄膜气急败坏的在室温下实现更高的灵敏度59.89 mV / pH值相比一个沉积在200°C表示低灵敏度的37.60 mV / pH值。此外TiO的滞后和漂移₂薄膜沉积在室温下显示出较低的值相比,一个在200°C。我们也测试了操作温度对性能的影响的EGFET pH-sensing,发现温度效应是非常小的。SN - 1687 - 725 - 2016/7594531 / 10.1155 x你——https://doi.org/10.1155/2016/7594531——摩根富林明-《传感器PB Hindawi出版公司KW - ER