TY - JOUR A2 - Tenje, Maria AU - Fernández, Daniel AU - Ricart, Jordi AU - Madrenas，乔迪PY - 2010 DA - 2010/05/17 TI -实验CMOS-Micromachined金属层的释放SP - 937301六世- 2010 AB -我们目前的实验结果的释放使用标准CMOS MEMS制造设备互连金属层结构元素和绝缘的二氧化硅牺牲层。实验比较了四种不同蚀刻剂(氢氟酸、氟化铵、醋酸和氟化铵的混合物、氟化氢)在CMOS技术中的释放结果，描述了蚀刻过程中发现的各种现象，并展示了多层结构的释放结果。SN - 1687-725X UR - https://doi.org/10.1155/2010/937301 DO - 10.1155/2010/937301 JF - Journal of Sensors PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -