TY -的A2 -罗西,马可盟——Bobadilla阿尔弗雷多·d . AU - Ocola列奥尼达e . AU - Sumant Anirudha诉AU -卡明斯基,迈克尔•AU - Seminario豪尔赫·m . PY - 2018 DA - 2018/08/23 TI - PMMA-Assisted等离子体模式的石墨烯SP - 8349626六世的Si - 2018 AB -微电子制造通常涉及高温或高能过程。例如,晶圆、晶体管制造和silicidation都超过500°C。与传统相反,我们认为低能过程构成一个更好的选择,使工业应用基于2 d的单分子器件材料。目前的工作地址postsynthesis处理的石墨烯在非传统的低温,低能量、低压力在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)协助转移石墨烯氧化物晶片,在电子束光刻PMMA,等离子体模式的石墨烯PMMA带面具。在暴露在氧等离子体,石墨烯是不受保护的领域转化为氧化石墨烯。所需要的曝光时间生产石墨烯的带状模式是2分钟。我们生产石墨烯带模式∼50 nm宽并将它们集成到固态和液态的晶体管设备。SN - 1687 - 9503你2018/8349626 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2018/8349626——摩根富林明——纳米技术杂志PB - Hindawi KW - ER