TY - JOUR A2 - Zhang, Yongxing AU - Cai, Lili AU - Feng, Cuiju PY - 2017 DA - 2017/02/12 TI -空位缺陷对GaN SP - 6987430 VL - 2017 AB电子结构和光学性能的影响( V G 一个 )及氮空缺( V N 利用密度泛函理论中的广义梯度逼近方法研究了氮化镓的电子结构和光学性质缺陷。结果表明，随着空位缺陷的增加，氮化镓的带隙增大。氮空位导致氮化镓晶体参数降低(氮化镓: V N )，镓空位增加GaN (GaN: V G 一个 )。Ga空位在价带的顶部引入了缺陷能级，缺陷能级由N2p电子态贡献。此外，GaN的能带向较低的能级转移: V N 向更高能量的GaN移动: V G 一个 。在氮化镓的N2p态中观察到能级分裂: V N GaN的Ga3d状态: V G 一个 。GaN中虚介电函数的低能区出现了新的峰值: V N 甘: V G 一个 。主峰略微向高能量移动，强度降低。SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2017/6987430 DO - 10.1155/2017/6987430 JF -纳米技术期刊PB - Hindawi KW - ER -