TY - Jour A2 - Rossi，Marco Au - Caballero-Briones，F. Au - Santana，G. Au - Flores，T. Au - Ponce，L. PY - 2016 DA - 2016/11/10碳中的光致发光反应通过在低真空（10-15mtorr）的低真空（10-15mtorr）的低真空（10-15mtorr）下沉积在低真空SP-5349697 VL-2016 - 碳膜上的GaAs底物上沉积在GaAs基材上沉积在GaAs底物上。在不同数量的脉冲（1500至6000）上用固定的流量（32 J / cm）制备薄膜（32 J / cm）²），靶向基板距离和使用Q的脉冲频率：交换机Nd：YAG激光器在1064nm处以10Hz的频率操作，并产生突发模式脉冲，每次持续时间为49 ns。通过光学显微镜，原子力显微镜，激光诱导击穿光谱，X射线衍射和光致发光光谱，表征薄膜。沉积的薄膜在视觉上光滑且粘附，但在所有薄膜中观察到溅起的另一方面。厚度与8到42的脉冲数线性变化  μ.m最大高度差异约为700 nm。在所有薄膜中发现六边形和正晶碳，并且在消融过程中没有氮气或氧气掺入。观察到宽光致发光条带，特别是，在475-480nm，540-550nm，590nm和625nm处的发射峰。带倾向于转向薄膜厚度的降低波长，表明发光来自由半导体基质影响的溅纳米结构。由于薄膜的厚度增加，这种特定的衬底效果消失。SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2016/5349697 DO - 10.1155/2016/5349697 JF - 纳米技术PB - Hindwi Publishing Corporation KW - ER -