TY - jour a2 - 亚麻尼亚，angaiah au - mazov，伊利亚au - krasnikov，dmitry au - stadnichenko，安德里·奥 - 夸子别墅，弗拉基米尔·奥 - 罗马，奥尔戈·奥地克，奥尔戈·奥克斯瓦，奥尔加·奥 - ·奥赛达，俄罗斯州 - Tkachev，Evgeniy py - 2012年 - 2012 /05/22 Ti - 多壁碳纳米管SP-954084 VL-2012 AB的直接气相溴 - 我们介绍了在中等温度下多壁碳纳米管（MWNT）气相溴化的简单方法。平均直径的mwnts 9. ± 3.  nm were treated with Br₂蒸汽在250°C以生产BR官能化产品。透射电子显微镜分析用于在溴化期间证明MWNT壁的低损伤。X射线光电子能谱（XPS）和差分热分析（DTA）用于研究初始和溴化纳米管表面的化学组成。实验结果表明，MWNT的结构不受溴化过程的影响，含Br的表面功能的总量达到2.5重量％。％。研究了初始和溴化MWNT的电神理性质，显示出官能化样品的电导率降低。根据获得的数据提出了通过表面缺陷和含氧官能团的气相溴化的可能机制。进行退火的低缺陷MWNT溴化溴化的额外实验，使Br含量低至0.75重量％。百分比证明了这一假设。SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2012/954084 Do - 10.1155 / 2012/954084 JF - 纳米技术PB - Hindwi Publishing Corporation KW - ER -