TY -的A2 Xiong Qihua盟——Tateno Kouta盟——张,提供非盟,后藤秀树非盟- Sogawa Tetsuomi PY - 2012 DA - 2011/07/12 TI -平顶建筑物和Stacking-Fault-Free GaAs-Related Nanopillars生长在硅基质SP - 890607六世- 2012 AB - VLS (vapor-liquid-solid)方法是一种有前途的技术发展垂直III-V化合物半导体纳米线在Si应用光电子回路。异质结构在轴向方向的VLS法和径向方向由普通逐层生长法能够制造复杂的自底向上的方式和功能的三维结构。我们可以种植一些垂直异质结构与平面顶部nanopillars Si(111)基板,我们获得core-multishell Ga(在)P /砷化镓/纳米线的差距与平的顶部和其气隙结构通过选择性湿蚀刻。模拟表明,高- 问 因素的超过2000可以实现气隙结构。砷化镓增长的实验中,我们发现闪锌矿砷化镓没有任何堆积层错之后可以生长纳米线的差距增长。柱子包含量子点,没有堆积层错可以增加了使用这种方法。我们也可以获得平顶建筑物柱子没有删除非盟催化剂在使用小盟粒子。SN - 1687 - 9503你2012/890607 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/890607——摩根富林明-纳米技术杂志PB Hindawi出版公司KW - ER