TY -的A2 -马丁内斯,阿图罗。非盟- Ruffino f . AU - Romano, l . AU - Carria e . AU - Miritello m . AU -格里马尔迪·m·g . AU - Privitera诉盟——Marabelli f . PY - 2012 DA - 2012/02/22 TI -结合离子注入/纳秒激光辐照的方法对硅纳米结构掺杂SP - 635705六世- 2012 AB -硅纳米结构的开发电子和光电设备取决于他们的电子掺杂。我们调查的方法作为掺杂的硅纳米结构的优势离子束注入和纳秒激光辐照融化动力学。我们说明的行为限制,SiO植入技术,₂/ Si / SiO₂多层和退火后其空间再分配过程。在Si / SiO积累₂接口被卢瑟福背散射谱观察在协议模型假定一个陷阱分布如果在第一个2 - 3 nm SiO之上₂/ Si接口。的浓度为10¹⁴陷阱/厘米²已被评估。这个结果打开透视图用于掺杂的硅制备嵌入SiO₂因为一个半径为1的硅纳米纳米嵌入SiO₂应该作为原子在界面陷阱13。为了促进公司制备的一种有效的兴奋剂,一种方法基于离子注入和纳秒激光辐照研究。如果制备在SiO产生₂层。离子注入和纳秒激光辐照后,光谱椭圆光度法测量显示制备光学特性符合他们有效的兴奋剂。SN - 1687 - 9503你2012/635705 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/635705——摩根富林明-纳米技术杂志PB Hindawi出版公司KW - ER