TY -的A2 Xiong Qihua盟——Gedamu Dawit盟——Paulowicz Ingo盟——Jebril Seid AU - Kumar Mishra约根德拉盟——Adelung Rainer PY - 2012 DA - 2012/01/24 TI -过程和属性直接纳米金属和半导体纳米线如果芯片集成SP - 325732六世- 2012 AB -维金属和半导体纳米结构表现出有趣的物理特性,但其融入现代电子设备通常是一个非常具有挑战性的任务。找到合适的为纳米结构和纳米尺度接触高度期望的方面。在目前我们演示1 d纳米的制备和中构造微观结构之间的联系形成直接在硅片通过薄膜骨折(TFF)方法或修改vapor-liquid-solid (MVLS)的方法。原则上,这两种方法提供了可能性,集成这些nano-meso结构wafer-level造作。电气性能的纳米结构对Si芯片及其初步应用程序集成的方向传感器和场效应晶体管。SN - 1687 - 9503你2012/325732 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/325732——摩根富林明-纳米技术杂志PB Hindawi出版公司KW - ER