Ty-jour a2 - 莫尔尔，安娜Fontcuberta I. Au - Hiruma，K. Au - Tomioka，K. Au - Mohan，P. Au - Yang，L. Au - Noborisaka，J.Au - Hua，B. Au - Hayashida，A. Au - Fujisawa，S. Au - Hara，S. Au - Motohisa，J.Au - Fukui，T. Py - 2012 Da - 2011/10/31 - 通过使用使用半导体纳米线的轴向和径向异质结构的制造选择性区域金属 - 有机气相外延SP-169284 VL-2012 AB - 通过使用选择性区域金属 - 有机气相外延，具有轴向/径向异质结构的GaAs和InP的III-V半导体纳米线的制造审查。纳米线，直径为50-300nm，长度可达10  μ.米，已经沿着 据 111. > B或 据 111. > 从光刻定义的SIO的晶体取向₂屏蔽III-V半导体衬底表面上的掩模开口。GaAs / InGaAs纳米线中的InGaAs量子阱（QW）和GaAs / Algaas或GaAs / GaAsp纳米线中的GaAs Qw用于轴向异质结构，以研究来自各种厚度的QWS的光致发光光谱。透射电子显微镜结合能量分散X射线光谱测量，用于分析纳米线的晶体结构和原子组成曲线。已经发现GaAs / Algaas，INP / InAs / InP和GaAs / GaASP核壳结构对径向异质结构有效增加光致发光强度并且能够使来自单个GaAs / GaAsP纳米线波导的激光发射。结果表明，核心壳结构对于纳米线光电子装置的表面钝化和实际使用是必不可少的。SN - 1687-9503 UR - https://doi.org/10.1155/2012/169284 Do - 10.1155 / 2012/169284 JF - 纳米技术PB - Hindwi Publishing CorporationKW - ER -