TY -的A2莫雷尔Herve AU -安格诺夫,乔治诉AU - Nikolov,迪米特·n . AU - Hristov马林h . PY - 2019 DA - 2019/11/03 TI -模晶体管设备的技术和建模SP - 4792461六世- 2019 AB -提出一个全面的技术现状和前景预期即将到来的进步。超大规模集成扩展趋势和技术进步在sub-10-nm技术进行了综述以及相关设备的建模方法和紧凑的晶体管的模型结构。随着技术进入纳米政权,半导体器件正面临大量的短沟道效应。散装CMOS技术发展和创新以克服这些制约因素的介绍(i)新技术、新材料和新晶体管(ii)架构。技术支持者如高 k/金属门技术、ultra-thin-body SOI Ge-on-insulator (GOI)^三世- b^V半导体,band-engineered晶体管(锗硅或紧张Si-channel) high-carrier-mobility通道检查。模装置结构如小说multiple-gate晶体管结构包括multiple-gate场效应晶体管,FD-SOI mosfet, CNTFETs,集检查常规CMOS设备和FinFETs尽可能的继任者。特别注意致力于gate-all-around场效应晶体管,分别,纳米线和nanosheet场效应晶体管作为即将到来的主流FinFET的替代品。鉴于,紧凑型建模散装CMOS晶体管和multiple-gate晶体管被认为是BSIM以及PSP multiple-gate模型,FD-SOI mosfet, CNTFET,建模进行了综述。SN - 2090 - 0147你2019/4792461 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2019/4792461——摩根富林明——《电气和计算机工程PB - Hindawi KW - ER