TY -的A2 -张,李盟金,Pengcheng盟——咚,Shurong AU -金,浩盟——吴Mengjun PY - 2012 DA - 2012/11/04 TI -处理芯片薄膜散装共鸣器质量传感器SP - 923617六世- 2012 AB -针对便携式应用程序,一个新的集成过程芯片薄膜散装声谐振器(FBAR)质量与0.18 um CMOS传感器提出和验证处理。纵向模式FBAR back-etched结构是捏造的,共振频率1.878 GHz和 问 因素1200。FBAR振荡器,基于current-reuse结构,设计巴特沃斯·范·戴克(MBVD)模型与修改。结果表明,FBAR振荡器运行在1.878 GHz的相位噪声−107 dBc /赫兹和135−dBc / Hz 10 KHz和100 KHz频率偏移,分别。整个过程与垫是1300芯片尺寸 μm×950 μm。FBAR和处理芯片键合在一起意义上微小的质量。测量结果表明,该芯片精度1 KHz FBAR差距从25千赫至25兆赫频率。SN - 1687 - 5249你2012/923617 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/923617——摩根富林明,控制科学与工程学报PB - Hindawi出版公司KW - ER