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Polysilsesquioxanes Gate-Insulating材料的有机薄膜晶体管
表2
移动(
),
关于
横扫P3HT日前和水接触角在不同绝缘子表面。表示为alkyltrichlorosilane地对空导弹数量的烷基单位(
)。
|
| 门绝缘子 |
(cm2V−1年代−1) |
水接触
角(度) |
(V) |
|
| PMSQ |
7.1×10−3 |
93年 |
−0.3 |
| SiO2 |
7.8×10−4 |
25 |
−2.0 |
|
= 2 |
4.2×10−3 |
89年 |
−2.5 |
|
= 6 |
1.2×10−2 |
103年 |
−2.5 |
|
= 12 |
3.0×10−2 |
106年 |
−2.4 |
|
= 18 |
3.3×10−2 |
107年 |
−2.4 |
|
|
