TY - A2的金子,非盟- Matsukawa惠朗他们盟——渡边,Mitsuru盟——岩漠、隆AU -打乱阵脚,隆盟——Naito Hiroyoshi PY - 2012 DA - 2012/11/27 TI - Polysilsesquioxanes Gate-Insulating材料的有机薄膜晶体管SP - 852063六世- 2012 AB -打印有机薄膜晶体管(O-TFT)是现在最公认的技术问题之一。我们最近的进展有机-无机杂化薄膜的形成包括polymethylsilsesquioxane (PMSQ)及其应用O-TFTs gate-insulating层的介绍了。PMSQ在甲苯溶液合成甲酸催化剂表现出高于10的电阻率¹⁴Ω厘米后热处理在150°C,和残余硅醇的低浓度组在PMSQ证实。PMSQ电影不包含移动离子杂质,这是同样重要的财产gate-insulating材料的实际应用。对于top-contact TFT型使用保利(3-hexylthiophene) (P3HT) PMSQ gate-insulating层,设备性能与日前有热生长SiO可比₂gate-insulating层。的可行性PMSQ O-TFTs gate-insulating材料,组装在一个灵活的塑料衬底,已经证明了。此外,PMSQ的修改,进一步的功能,如表面疏水性,高介电常数,使低驱动电压,允许光刻photocurability,可以附加到PMSQ gate-insulating层。SN - 1687 - 9422你2012/852063 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/852063——摩根富林明-国际高分子科学杂志PB Hindawi出版公司KW - ER