TY-JOURA2-Hussain、FayazAU-Kamdem、CedrikFotchaAU-Ngoopo、ArielTeyouAU-Abega、François XavierAbo
0.5内
0.5P后面场:模拟方法SP-6204891VL-2023AB-GAS半导体因其光电特性良好而成为光电应用的太阳能有希望材料这项工作中,GaAs太阳电池同AL
X级
加市
1-
X级
As和Ga
y市
内
1-
y市
P太阳能材料窗口和后表层使用SCAPS-1D软件模拟和调查GAS太阳电池性能评价
X级
并
y市
获取值0.8和0.5
X级
并
y市
分别表示高性能最优值继续优化方法计及太阳电池的某些参数,如厚度、用药量和p-Gaas基数大数缺陷密度、n-Gaas发射和Ga
0.5内
0.5PBSF层太阳能电池效率随发射厚度提高,但重组合现象比电子孔生成更显眼,如果基数较厚。反接触工作函数变换效果也研究过,最佳性能为白金电极优化GAS太阳能电池变换效率35.44%
J大全
SC大全
=
开关
mA/cm
2,
V级
OC大全
=
1.26
V
FF网路
=
89.14
和温度系数-0.036%/摄氏模拟结果深入了解提高GAS太阳电池效率的各种方法SN-1110-662XUR-https://doi.org/101155/2023/6204891DO-10.1155/2023/6204891