TY - JOUR A2 - Li, Yuanzuo AU - Song, X. M. AU - Huang, Z. G. AU - Gao, M. AU - Chen, D. Y. AU - Fan, Z. AU - Ma, Z. Q. PY - 2021 DA - 2021/04/23 TI - Role of Interfacial Oxide Layer in MoOX/N-SI异质结太阳能电池SP - 6623150 VL-2021 AB - 界面氧化物层在MOO中起着至关重要的作用 X / N -si异质结(mshj)太阳能电池;然而,尚未澄清这种界面层的性质。在本研究中,基于实验结果,理论上,理论地分析了界面氧化物层在MSHJ器件的电荷载流子中的作用。界面氧化物层被视为两层:Quasi P. -Type半导体界面氧化物层(SIO X (Mo))1,其中由于氧空位和钼 - 离子相关的三元杂种和缓冲层存在许多带负电的中心(SiO X (MO))2,其中Si-O键的量由相对良好的钝化占主导地位。(SIO X (mo))1和厚度(siO X (MO))分别为约2.0nm和1.5nm。仿真结果表明,准 P. -Type层表现为具有2.30eV的宽带隙的半导体材料,便于运输带负电的中心。另外,具有1.90eV的光带隙的缓冲层在moo中发挥了至关重要的作用 X / N -si设备。此外,界面层中的负电荷中心在现场钝化和隧道过程中具有双重功能。结合实验结果,我们的模型阐明了MSHJ太阳能电池的界面物理和载波运输机制,并为MSHJ太阳能电池的高效率提供了有效的方法。SN - 1110-662X UR - HTTPS://Doi.org/10.1155/2021/6623150 Do - 10.1155 / 2021/6623150 JF - 国际光环学PB - Hindawi KW - ER -