TY -的A2沈Shaohua AU -谢,瑞盟——苏,金盏AU - Li Mingtao盟——郭Liejin PY - 2013 DA - 2013/02/25 TI -结构和Cu-Doped CdS薄膜的光电化学性质由超声喷雾热解SP - 620134六世- 2013 AB - Cu-Doped CdS薄膜的掺杂水平变量沉积在铟锡敷氧化物玻璃衬底通过简单的和具有成本效益的超声喷雾热解法。掺杂浓度和退火处理的影响在结构和光电化学性质的电影。把电影通过XRD, SEM,紫外可见光谱。此外,电影研究电化学、光电化学测量对分裂水太阳能能量转换。结果表明,铜杂质会导致结构性变化和吸收边红移。发现的可以提高光电流Cu-doping弱光照下的未退火的薄膜的过程。未退火的5。% Cu-doped样本获得最大IPCE,达到约45%,报0.3 V和SCE潜力在420 nm波长光致辐照。此外,p型掺杂的cd成立4。% ~10。% 450°C 2 h后铜在真空退火。SN - 1110 - 662 - 2013/620134 / 10.1155 x你——https://doi.org/10.1155/2013/620134——摩根富林明Photoenergy PB - Hindawi的国际杂志出版公司KW - ER