TY -的A2 -黄,盛盟-李,建民AU - Chang Sheng-Po AU - Chang Shoou-Jinn盟,吴在PY - 2012 DA - 2012/12/17 TI -高效硅太阳能电池所使用的离子注入和内联背后舍入过程中SP - 670981六世- 2012 AB -我们引入一个小说,高通量处理方法生产高效太阳能电池通过背后舍入过程和离子注入。离子注入加上背后舍入过程调查。离子注入过程代替热POCl₃扩散性能更好 R 表 一致性(< 3%)。u - 4100分光光度计显示晶片背面舍入过程执行更高的长波长的反射率。工业丝网印刷(SP) Al-BSF团体在不同的腐蚀深度进行了分析。sem表明,增加腐蚀深度提高背表面场(BSF)。的 我 - - - - - - V 测量显示,蚀刻深度的6 μm±0.1 μ由于拥有最高的m V OC 和 我 SC ,它有最佳的性能。扫描电镜还表明,高腐蚀深度也产生统一半岛融化和更好的生物沙子饮用水过滤系统。这是同意以长波长的响应数据。SN - 1110 - 662 - 2012/670981 / 10.1155 x你——https://doi.org/10.1155/2012/670981——摩根富林明Photoenergy PB - Hindawi的国际杂志出版公司KW - ER