TY -的A2 Martinez-Huitle阿尔贝托盟,Srikanth Vadali v . s . s . AU -位于Kumar, p . AU -库马尔,Vijay Bhooshan PY - 2012 DA - 2011/09/11 TI -一个简短回顾原位合成薄膜SP - 218393六世掺硼金刚石- 2012 AB -金刚石薄膜是众所周知的无与伦比的物理和化学性质。在最近的过去,研究兴趣在导电金刚石薄膜的合成,特别是(BDD)掺硼金刚石薄膜,增加了迎合需求的电子,biosensoric,电化学的应用程序。BDD薄膜得到一些 年代 p 3 杂化碳原子在金刚石晶格与硼原子。根据金刚石薄膜合成条件下,硼掺杂的路线,并进一步处理措施(如果有的话),不同类型的BDD金刚石薄膜与可以获得特定于应用程序的属性。本文将回顾一些重要的薄膜掺硼金刚石的合成进展,尤其是通过气相合成操作。SN - 2090 - 3529你2012/218393 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/218393——摩根富林明电化学的国际杂志PB - Hindawi出版公司KW - ER