TY -的A2 (Pham Viet-Thanh盟——包、汉盟——江,道盟——楚Kaibin盟,陈墨盟——徐,全非盟-包,伯承PY - 2018 DA - 2018/03/25 TI - Memristor-Based规范蔡的电路:极端多稳定性电压域及其可控性Flux-Charge域SP - 5935637六世- 2018 AB -探讨极端多稳定性及其可控性对理想压控记忆电阻emulator-based规范蔡的电路。与电压模型,初始condition-dependent极端多稳定性探讨通过分析线平衡点的稳定分布,然后无限多的吸引子共存是数值发现在这样一个记忆性电路盆地和相图的吸引力。此外,基于忆阻器的精确的本构关系模拟器,一组描述方程的增量flux-charge memristor-based制定规范蔡美儿的电路,因此降维模型建立。结果,初始condition-dependent动态电压域转化为系统parameter-associated动力学在flux-charge域中,证实了数值模拟和电路仿真。因此,可以方便地实现极端多稳定性控制策略,极大地寻求chaos-based重大工程应用的多稳态记忆性电路。SN - 1076 - 2787你——https://doi.org/10.1155/2018/5935637——10.1155 / 2018/5935637 JF - PB - Hindawi KW - ER -复杂性