TY - JOUR A2 - Ghibaudo，杰拉德AU - 莫，Jiongjiong AU - 赵Xuran AU - 周，闵PY - 2017 DA - 2017年10月15日TI - 总剂量硅垂直扩散MOSFET与二氧化硅的影响2和Si3ñ4/二氧化硅2栅介质SP - 9685685 VL - 2017 AB - 总电离剂量辐照效应以Si垂直进行调查扩散有不同的栅极电介质，包括单个的SiO的MOSFET（VDMOSs）2层和硅一倍3ñ4/二氧化硅2层。辐射诱导的孔俘获较大单的SiO2层比硅双3ñ4/二氧化硅2层。电介质氧化温度依赖性TID效果也进行了研究。孔俘获感应负阈值电压偏移为较小的SiO2在较低的氧化温度。期间照射导致不同的栅极偏置
V
Ť
H
移用于不同的栅极电介质。单二氧化硅2层示出了最坏的负
V
Ť
H
在
V
G
=
0
V
，而双硅3ñ4/二氧化硅2节目负
V
Ť
H
在转移
V
G
=
-
五
V
，正
V
Ť
H
在转移
V
G
=
10
V
，可忽略不计
V
Ť
H
在转移
V
G
=
0
V
。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2017/9685685 DO - 10.1155 /九百六十八万五千六百八十五分之二千○一十七JF - 有源和无源电子元件PB - Hindawi出版KW - ER -