TY - JOUR A2 - Ghibaudo, Gerard AU - Khanfar, Hazem K. AU - Qasrawi, a.f. AU - Ghannam, Yasmeen Kh。TI -微波阻抗谱和温度对Au/BN/C界面电性能的影响SP - 4791347 VL - 2017 AB -在本研究中，设计并表征了一个Au/BN/C微波背靠背肖特基器件。用扫描电子显微镜和原子力显微镜对器件的形貌和粗糙度进行了测定。Richardson-Schottky验证的电流传导传输机制是拟合实验数据,对温度的依赖关系的电流电压特性的设备是由电场辅助热电子发射电荷载体的势垒高度~ 0.87 ~ 1.1 eV和耗尽区宽度 μm.随着温度的升高，耗尽宽度和阻挡层高度均呈上升趋势。另一方面，在100-1400 MHz频率范围内进行的交流电导率分析表明，载流子通过相关势垒(CBH)的声子辅助量子力学隧穿(hopping)占据主导地位。此外，在千兆赫兹频域进行的阻抗和功率谱研究显示，在~1.6千兆赫兹频域出现共振-反共振特征。该装置的微波功率谱显示出一种理想的陷波频率为1.6 GHz的带阻滤波器。该装置的交流信号分析显示了该装置作为捕波器的应用前景。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2017/4791347 DO - 10.1155/2017/4791347 JF -有源和无源电子元件PB - Hindawi KW - ER -