TY - JOUR A2 - Mercha, Abdelkarim AU - Karsenty, A. AU - Chelly, A. PY - 2014 DA - 2014/06/11 TI -YFD SOI MOSFETs SP - 697369 VL - 2014超薄薄膜低温行为的函数分析 W / L在300k和77k时，分别测量了46 nm和2.2 nm的沟道厚度。通过降低温度，我们发现这些器件的电行为是完全相反的:如果对UTB器件，电导率增加，对GRC则观察到相反的影响。低场电子迁移率和串联电阻 R SD 值的提取使用基于 Y-两个温度的函数。如果 R SD UTB值较低，非常高(>1) 米 Ω )为GRC提取。令人惊讶的是，对于最后一个装置，发现有效场迁移率非常低(<1) 厘米 2 / Vs )，并通过降低温度而下降。在讨论了这种分析的局限性之后。这个案例研究说明了 Y-在鑑别一个参数的大相关性的纳米级器件的分析，并给出一个反常电行为的相干解释。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2014/697369 DO - 10.1155/2014/697369 JF -有源和无源电子元件PB - Hindawi出版公司KW - ER -