TI - A Low-Power ultra - broadband Low-Noise Amplifier in 0.18μ本文介绍了一种基于TSMC 0.18芯片的超宽带低噪声放大器芯片 μCMOS技术。我们提出了一种适用于低电压、低功耗应用的超宽带低噪声放大器(LNA)。目前的超宽带LNA在隔离、芯片尺寸和低电源电压下的功耗方面具有更好的性能。该超宽带LNA基于电流复用拓扑结构设计，采用简化的RLC电路实现输入宽带匹配。输出阻抗引入LC匹配方法，降低功耗。所提出的LNA的测量结果显示平均功率增益( 年代 ₂₁)，在3 - 5.6 GHz频段的3 dB频段中。输入反射系数( 年代 ₁₁)小于−9 dB从3到11 GHz。输出反射系数( 年代 ₂₂)小于−8 dB从3到7.5 GHz。噪声系数4.6-5.3 dB为3 - 5.6 GHz。输入三阶截距点(IIP_3.)的2 dBm在5.3 GHz。在1v电源电压下，LNA的直流功耗为9mw。CMOS超宽带LNA芯片尺寸为 1.03 × 0.78 毫米²在总。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2013/953498 DO - 10.1155/2013/953498 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -