TY -的A2 El-Masry Ezz即非盟- Nakayama Kazuya盟——北川,丰田PY - 2013 DA - 2013/12/14 TI -电路实现,操作,和模拟的多值的非易失性静态随机存取存储器使用电阻率改变设备SP - 839198六世- 2013 AB -我们提出和分析多值计算,使用ReRAM的非易失SRAM。两个参考电阻和一个可编程电阻连接到标准SRAM单元的存储节点上。提出的9T3R MNV-SRAM单元可以存储2位内存。在存储操作中，回忆操作和是否需要写脉冲的连续判断操作可以同时进行。因此，在使用该方案时，不需要决策操作的持续时间和电路。为了实现稳定的召回操作，在电源打开之前要给电池施加一定的电流(或电压)。为了研究工艺变化公差和编程电阻的准确性，我们模拟了在180 nm 3.3 V CMOS HSPICE器件模型下，MNV-SRAM单元晶体管宽度、可编程电阻电阻和电源电压变化的影响。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2013/839198 DO - 10.1155/2013/839198 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -