TY - JOUR A2 - Ghibaudo，杰拉德AU - 班纳吉，Suranjana AU - Acharyya，Aritra AU - 班纳吉，J. P. PY - 2013 DA - 2013年4月28日TI - 在异质结DDR MITATT基器件的噪声性能在W-波段SP - 720191 VL - 2013 AB - 的不同结构的噪声性能 硅 〜 硅 1 - X 通用电器 X anisotype异质结双漂移区（DDR）混合隧穿和雪崩渡越时间（MITATT）设备进行了研究。这些器件在毫米波W波段频率设计用于操作。仿真模型已经发展到研究装置的噪声谱密度和噪声的措施。两个不同的摩尔分数 X = 0.1 和 X = 0.3 Ge和对应的四种类型的装置的结构被认为是模拟。结果表明， ñ - 硅 0.7 通用电器 0.3 〜 P MITATT装置的-Si异质结结构DDR优异所有其他结构至于噪声谱密度（ 0.82 × 10 - 16  V 2  sec) and noise measure (33.09 dB) as well as millimeter-wave properties such as DC-to-RF conversion efficiency (20.15%) and CW power output (773.29 mW). SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2013/720191 DO - 10.1155/2013/720191 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -