TY - JOUR A2 - 李，关伟盟 - 林，吉，陈聪AU - 英，益泉AU - 琳宝谢PY - 2013 DA - 2013年2月18日TI - 一种新型的纳米FDSOI MOSFET带座氧化物SP - 627873 VL - 2013 AB - 我们通过将氧化物侧壁间隔物技术给块 - 氧化物 - 硅封闭体以产生完全耗尽硅绝缘体（FDSOI）型nMOSFET，其克服了需要显示出改进的器件性能均匀的超薄硅膜。块氧化物的沿所述Si主体的侧壁上的存在降低了显著漏极偏压经该信道的影响。因此，所提出FDSOI结构优于传统FDSOI关于其漏感应势垒降低（DIBL），开/关电流比，亚阈值摆幅，和阈值电压的滚降。新FDSOI结构实际上是在示出其性能类似于超薄体（UTB）SOI但是没有相关联的缺点和超薄膜的技术挑战，因为厚的Si体允许自热敏感性降低，从而改善了热稳定性。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2013/627873 DO - 10.1155 /六十二万七千八百七十三分之二千○一十三JF - 有源和无源电子元件PB - Hindawi出版公司公司KW - ER -