TY -的A2 Ghibaudo杰拉德盟——Pandian m . Karthigai AU - Balamurugan n . b . AU - Pricilla a . PY - 2013 DA - 2013/09/19 TI -潜力和量子的阈值电压模型Gate-All-Around纳米线场效应管SP - 153157六世- 2013 AB -一种改进的基于物理模型的紧凑对称偏见Gate-All-Around(棉酚)提出了硅纳米线晶体管。在阈值电压建模中考虑了超薄硅器件引起的短通道效应和量子力学效应。器件几何在多栅器件中起着非常重要的作用，通过改变硅通道的高度和宽度，分析了器件几何对阈值电压的影响。沿通道的反演电荷和电势分布以封闭形式表示。该模型显示了良好的准确性与TCAD仿真装置在弱反演制度。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2013/153157 DO - 10.1155/2013/153157 JF -有源和无源电子元件PB - Hindawi出版公司KW - ER -