TY -的A2赞萧w . AU - Liu Chao-Te AU -李,Wen-Hsi盟——苏Jui-Feng PY - 2012 DA - 2012/02/21 TI - Pentacene-Based与具有纳米复合材料薄膜晶体管High-K电介质SP - 921738六世- 2012 AB -纳米复合材料Pentacene-Based薄膜晶体管的栅绝缘膜沉积了喷墨打印。在本研究中，利用珍珠碾磨机粉碎团聚体，分散剂较好地稳定了纳米tio的分散₂油墨中聚合物基体中的微粒增加了微喷射的剂量浓度，可以作为喷墨打印无需照相的栅极介质膜。最后，我们实现了顶接触并五苯- tfts，成功地实现了基于纳米复合材料的喷墨打印器件的直接模式化和性能提升的目的。这些器件具有高场效应迁移率(̃0.58 cm的饱和迁移率)的p沟道TFT特性²V⁻¹年代⁻¹)，大电流比(>10^3.)和低工作电压(< 6v)。此外，我们还证实了导致喷墨打印和旋转涂层界面差异的沉积机制。并利用XRD、SEM、Raman光谱分析并五苯薄膜的转移特性和OTFTs性能。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/921738 DO - 10.1155/2012/921738 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -