TY -的A2赞萧w . AU -唐,w . m . AU - Helander m . g . AU -格林尼m . t . AU - Lu, z h . AU - Ng, w . t . PY - 2012 DA - 2012/01/11 TI -退火时间对性能的影响与ZrO OTFT的玻璃₂闸极介电层SP - 901076六世- 2012 AB -铜phthalocyanine-based有机薄膜晶体管(OTFTs)与氧化锆(ZrO₂)作为闸极介电层玻璃基板上制作。闸极介电层退火在N₂在不同的时间(5、15、40和60分钟)调查的影响退火时间OTFTs的电气性能。实验结果表明,OTFT退火时间越长,性能越好。在设备研究,OTFTs闸极介电层退火在350°C N₂60分钟表现出最佳的设备性能。他们有一个较小的阈值电压−0.58 V,低阈下的斜率为0.8 V / 10年,当前0.73 nA和低断开状态。这些特征表明,制造设备适用于低压和低功耗操作。相比,5分钟的TFT样品退火,退火60分钟高出20%的流动性和小近两倍的阈下的斜率和断开的电流。延长退火能有效减少high-k电影和产生一个更好的绝缘子缺陷/有机界面。这将导致低的载流子散射和大CuPc谷物运输载体。SN - 0882 - 7516你2012/901076 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/901076——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER