TY - Jour A2 - Lee，Kuan-Wei Au - Yang，Yi-Lin Au - Zhang，Wenqi Au - Cheng，Chi-yun Au - Yeh，Wen-Kuan Py - 2012 Da - 2012/06/13 Ti - 改进 - 改善具有各种PMA条件的高k /金属栅极PMOSFET装置的可靠性SP-872494 VL - 2012 AB - 氧气和氮气被示出在PMA期间通过高k /金属栅极装置中的锡层扩散。氧气和氮气退火均在不增加氧化物厚度的情况下降低栅极漏电流。设备的阈值电压随各种PMA条件而变化。在PMA处理后，改善了装置的可靠性，特别是对于氧气退火装置。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/872494 Do - 10.1155 / 2012/872494 JF - 主动和被动电子元件PB - Hindwi Publishing CorporationKW - ER -