ty -jour a2 -balasubramanian，narayanan au -hou，danqiong au -bilbro -bilbro，Griff L.Au -Trew，Robert J. Py -2012 da -2012/22/2012/201/08 TI- ALGAN/GAN HFETS/GAN HFETS/GAN HFETS/GAN HFETS/GAN HFETS/GAN HFETS/GAN HFETS/GAN HFETS/HEMTS SP-806253 VL-2012 AB-我们开发了一种新的基于区域的紧凑型物理基于Algan/GAN杂项杂结场效果晶体管（HFET）模型，适用于用于商业谐波微波炉电路模拟器。新模型以行业标准的紧凑型建模语言为Verilog-A进行编程。新模型允许DC，小信号和大信号的RF性能作为晶体管确定，以确定设备几何结构和设计特征，材料组成参数以及DC和RF操作条件的函数。新的基于物理的HFET模型不需要广泛的参数提取来确定模型元素值，这通常用于传统的基于等效电路的晶体管模型。新模型已校准和验证。我们报告了实验C波段微波功率放大器的模拟和测量直流和RF性能之间的良好一致性。SN -0882-7516 UR -https：//doi.org/10.1155/2012/806253 do -10.1155/2012/2012/806253 JF-主动和被动电子组件PB-