y - JOUR A2 - Wang yong - her AU - Chien, zhong - yen AU - Hsu, jie - wei AU - Chiu, Pei-Chin AU - Chyi, jeninn AU - Li, Pei-Wen PY - 2012 DA - 2012/07/02 TI - Gate Stack Engineering and Thermal Treatment on Electrical and interface Properties of TI /Pt/HfO₂/在pMOS电容器SP - 729328 VL - 2012 AB -栅极堆叠工程和热处理对Ti/Pt/HfO电学和界面性能的影响₂/InAs金属绝缘体半导体(MIS)电容器通过透射电子显微镜、能量色散x射线光谱、电流电压和电容电压表征进行了系统评价。10nm厚的铂金属有效地抑制了界面氧化物TiO的形成₂，在Ti栅和HfO之间₂栅极电介质层，增强了栅极调制对InAs表面电位的影响。一个 原位高频振荡器₂沉积在 n-InAs通道与单单层InP的界面层(IL)，然后经过300°C金属后退火产生高质量的HfO₂/InAs界面，从而解开恼人的费米能级钉扎，这是由高/低频率的明显电容下降证明的 C-V特征。通过用富as InAs替代InP IL，可以进一步抑制界面陷阱状态，这可以通过栅极泄漏减少和电压依赖性损耗电容来证实。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/729328 DO - 10.1155/2012/729328 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -