TY -的A2 Ghibaudo杰拉德AU -穆雷,Hugues AU -马丁,帕特里克PY - 2012 DA - 2012/12/25 TI -一个统一的渠道费用表达式分析MOSFET模型SP - 652478六世- 2012 AB -基于一维泊松方程解析,我们提出一个分析模型反演指控允许漏极电流的计算和金属氧化物半导体场效应晶体管跨导。漏极电流和跨导用解析函数描述，包括迁移率修正和短通道效应(CLM, DIBL)。与Pao-Sah积分的比较表明，该模型在亚微观MOSFET从强到弱的各种反演模式下都具有良好的精度。所有计算都用一个简单的C程序编码，并给出瞬时结果，为微电子用户提供了一个有效的工具。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/652478 DO - 10.1155/2012/652478 JF -有源和无源电子元件PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -