TY -的A2 -高岛,Daisaburo盟——Narayanan m . AU - Al-Nashash h . AU - Mazhari Baquer盟——朋友,Dipankar盟——钱德拉Mahesh PY - 2012 DA - 2012/07/24 TI -分析扭结减少SOI MOSFET使用选择性氧化后结构SP - 565827六世- 2012 AB -提出了一个完整的分析SOI MOSFET的扭结效应,提出了一个方法来消除扭结效应中观察到的电流电压输出特征部分耗尽SOI MOSFET器件。在这种方法中，设备的反氧化物被引入到源极和漏极下方的选定区域，而不是像在SOI设备中那样连续地引入，从而产生所谓的“SELBOX”结构。研究了不同间隙长度和厚度的选择性背氧化物结构。数值模拟结果表明，该结构在保留传统SOI结构的主要优点的同时，能显著减少扭结现象。虽然新结构能够消除扭结，但由于间隙较窄，器件仍可能表现出某些扭结效应。一个装置模型，解释了结构的扭结行为变化的间隙长度也被发展。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/565827 DO - 10.1155/2012/565827 JF -有源和无源电子元件PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -