TY -的A2蔡Jung-Hui AU -克里斯琴森,布拉德利d . AU -海勒,埃里克·r . AU - Coutu罗纳德·A . AU - Vetury,室利罗摩克里希纳AU -谢伊,杰弗里•b . PY - 2012 DA - 2012/08/28 TI -一个非常健壮的沃甘/氮化镓HEMT技术高向前门偏见和当前SP - 493239六世- 2012 AB -报告日期GaN HEMTs受到向前门偏差应力包括不同程度的退化。我们报告一个非常健壮的氮化镓HEMT技术survived-contrary传统wisdom-high向前门偏见(+ 6 V)和电流(> 1.8 /毫米)> 17.5小时门二极管特性展示只有轻微的变化,小的减少最大的漏极电流,只有一个0.1 V积极阈值电压转变,,值得注意的是,坚持击穿电压超过200 V。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/493239 DO - 10.1155/2012/493239 JF -有源和无源电子元件PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -