ty-jour a2 - 王，明翔奥 - 巴什姆，埃里克·奥尔 - 父，大卫Py - 2012 DA - 2012/02/08 Ti - 用于神经记录的晶体管的设计优化SP - 472306 VL - 2012 AB - 直接培养的神经元开放式栅极场效应晶体管导致混合装置，神经元FET。文献中报告的神经元专柜放大器电路采用神经元 - FET换能器作为电流模式装置，与跨阻抗放大器一起使用。在该配置中，换能器不提供任何信号增益，并且需要换能器的表征出放大电路。此外，电路需要复杂的偏置方案，必须重新调整以补偿漂移。在这里，我们提出了一种基于的替代战略GydF4y2Ba GGydF4y2Ba mGydF4y2Ba /GydF4y2Ba 一世GydF4y2Ba D.GydF4y2Ba 优化单级公共放大器设计的设计方法。这GydF4y2Ba GGydF4y2Ba mGydF4y2Ba /GydF4y2Ba 一世GydF4y2Ba D.GydF4y2Ba 设计方法有助于神经元 - FET的电路表征，并深入了解改善晶体管工艺设计作为神经元 - FET换能器的晶体管工艺设计的方法。用于测试用例的仿真数据显示了晶体管设计的优化，并且通过电流模式实现的显着增加。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/472306 do - 10.1155 / 2012/472306 JF - 主动和被动电子元件Pb - Hindwi Publishing CorporationKW - ER -GydF4y2Ba