TY - JOUR A2 - Li, Pei-Wen AU - Lin, Chao-Wei AU - Chiu, Hsien-Chin PY - 2012 DA - 2012/12/03 TI - GaN-Based High-k氧化镨门misfet+ UV界面处理技术SP - 459043 VL - 2012 AB₂O_3.-)高介电常数的钝化AlGaN/GaN金属绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(mishemts)，其中AlGaN肖特基层经P₂年代₅/ (NH₄）₂ 年代 X +紫外线(UV)照明。一束电子束蒸发了Pr₂O_3.采用绝缘体代替传统的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)，以防止等离子体对AlGaN的损伤。在本工作中，hemt经过P₂年代₅/ (NH₄）₂ 年代 X 栅极绝缘子(Pr₂O_3.)沉积。由于可以很容易地得到与Ga结合的稳定硫和表面氧原子被P还原₂年代₅/ (NH₄）₂ 年代 X 预处理时，mishemt的泄漏电流最低。此外，该新工艺还获得了低闪烁噪声和低表面粗糙度(0.38 nm)，证明了其降低表面状态的能力。栅漏电流小₂O_3.和高- - - - - - kAlGaN/GaN mishemts，与P₂年代₅/ (NH₄）₂ 年代 X + UV照明处理，适合低噪声应用，因为电子束蒸发绝缘体和新的化学预处理。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/459043 DO - 10.1155/2012/459043 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -