TY - JOUR A2 - Chang, Edward Yi AU - Yum, j.h. AU - Oh, j.au - Hudnall, Todd。W. AU - Bielawski, C. W. AU - Bersuker, G. AU - Banerjee, S. K. PY - 2012 DA - 2012/10/17 TI -比较研究,,成为超薄界面势垒层硅金属氧化物半导体设备SP - 359580六世- 2012 AB -在先前的研究中,我们已经表明,氧化铍(同电影增加了原子层沉积(ALD) Si和III-V金属氧化物半导体设备具有良好的电气和物理特性。在本文中，我们比较了加入超薄界面阻挡层如SiO的电特性₂,艾尔。₂O_3.，或BeO之间的HfO₂金属氧化物半导体电容器(moscap)和n通道反转型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)中的栅介质和硅衬底。具有BeO/HfO的硅moscap和mosfet₂门堆栈展出性能和可靠性高的特点,包括驱动电流,改善34%略好降低阈下的秋千,有效的电子迁移率增加42%的电场1 MV /厘米,略低氧化等效厚度,减少应激平带电压转变,减少压力引起的泄漏电流,和界面电荷。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/359580 DO - 10.1155/2012/359580 JF -有源和无源电子元件PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -