TY - Jour A2 - Horng，Jiun-Wei - 周，盛琪奥 - 周，罗维奥 - 刘，孙诚奥 - 孙，彭州奥罗斯，泉明奥 - 吴，俊明PY - 2012年DA - 2012/09/06Ti - 近似熵理论在IGBT模块SP-309789 VL - 2012 AB - 缺陷中的应用是降低绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块的可靠性的关键因素之一，从而开发诊断方法IGBT模块内的缺陷是避免灾难性故障并提高电力电子转换器可靠性的重要措施。因此，本文提出了一种基于近似熵（APEN）理论的新型诊断方法，可以提供统计诊断并允许操作员及时更换缺陷的IGBT模块。通过在缺陷之前和之后分析栅极电压的十字架来实现所提出的方法。由于老化引起的局部损害，诸如寄生电感和电容等IGBT模块内的包装材料或硅芯片的固有寄生参数可能随时间变化，这将对栅极电压作出显着变化。也就是说，栅极电压与缺陷耦合靠近。因此，量化变化并用作前体参数以评估IGBT模块的健康状态。实验结果验证了所提出的方法的正确性。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/309789 Do - 10.1155 / 2012/309789 JF - 主动和被动电子元件PB - Hindwi Publishing CorporationKW - ER -