TY -的A2 Mercha Abdelkarim盟——亚伯拉罕,Doron盟——秋儿,亚盟-巴兹,大卫•AU -希夫仑盟——Nabozny米非盟- Zalevsky Zeev PY - 2012 DA - 2012/04/04 TI -电流电压特性的建模用光催化装置基于SOI技术SP - 276145六世- 2012 AB -绝缘体上硅结构的分析模型用光催化调制器(SOI-PAM)设备提出了为了描述这个新设备的概念信息的电子光学调制命令。模型,依靠经典肖克利的分析,简单而有用的分析和合成设备的伏安关系在低漏电压。解析表达式推导出了输出电流作为输入排水和栅极电压的函数的参数化的物理值如掺杂浓度、通道和氧化层厚度和光学控制能量。一个原型SOI-PAM设备有一个面积4 μm×3 μm与已知的参数是用于实验模型验证和支持。最后,该模型允许设备内部的物理机制的理解对黑暗和光照条件下,它将被用于优化和找到设备的性能限制。SN - 0882 - 7516你2012/276145 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/276145——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER