研究文章
的理解Postmetallization退火金属-在对待III-V半导体
图2
2
西姆斯(a) TiO深度资料/S-InP和(b) PMA (350°C)/S-InP。
![]() |
|
|
|
![]() |
|
|
on Treated III-V Semiconductors ">