TY - JOUR A2 - 李，关伟盟 - 李，明桂盟 - 颜，质枫PY - 2012 DA - 2012年12月16日TI - Postmetallization退火MOCVD-的理解上处理过的III-V族半导体SP - 148705 VL - 2012 AB - TiO 2的电特性₂生长在III-V族半导体（例如，p型InP和GaAs）通过金属有机化学气相沉积的膜进行了研究。随着（NH₄）₂S处理，MOS电容器的电特性是由于天然氧化物的还原改进。的电特性可以通过postmetallization退火，这会导致氢原子离子，以钝化的缺陷和多晶的晶界得到进一步改善的TiO₂影片。对于postmetallization退火二氧化钛₂在（NH₄）₂小号处理的InP MOS，漏电流密度可以达到 2.7 × 10 - 7 和 2.3 × 10 - 7  A/cm²在 ± 1  MV/cm, respectively. The dielectric constant and effective oxide charges are 46 and 1.96 × 10 12  C/cm²， 分别。界面态密度是 7.13 × 10 11  cm^-2电子伏特^-1在the energy of 0.67 eV from the edge of valence band. For postmetallization annealed TiO₂在（NH₄）₂小号处理的GaAs MOS，漏电流密度可以达到 9.7 × 10 - 8 和 1.4 × 10 - 7 在 ± 1  MV/cm, respectively. The dielectric constant and effective oxide charges are 66 and 1.86 × 10 12  C/cm²， 分别。界面态密度是 5.96 × 10 11  cm^-2电子伏特^-1在the energy of 0.7 eV from the edge of valence band. SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2012/148705 DO - 10.1155/2012/148705 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -