TY - Jour A2 - GhibAudo，G. Au - Omura，Yasuhisa Py - 2011 DA - 2011/09/15 TI - 高温操作耐受SOI MOSFET和设备性能评估初步研究SP - 850481 VL - 2011年- 我们提出了一种高温操作（HTOT）SOI MOSFET，并显示其特性的初步仿真结果。证明HTOT SOI MOSFET在700 k下安全地操作，由于其膨胀的有效带隙，没有热不稳定性。结果表明，由于其本地薄的Si区域提供扩展的有效带隙，其阈值电压高于传统SOI MOSFET的阈值电压。结果表明，具有1nm厚的局部薄Si区域的Htot SOI MOSFET几乎对温度不敏感据inline-formula> T.据/mml:mi> 据据/mml:mo> 700据/mml:mn>  K据/mml:mtext> （427 c）。这证实HTOT SOI MOSFET是未来高温应用的有希望的设备。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2011/850481 Do - 10.1155 / 2011/850481 JF - 主动和被动电子元件PB - Hindwi Publishing Corporation KW - ER -据/body>