Zheludkevich, Mikhail AU - Tchenka, Abdelaziz AU - Agdad, Abdelali AU - Samba Vall, Mohamed Cheikh AU - Hnawi, Salma Kaotar AU - Narjis, Abdelfattah AU - Nkhaili, lahsen AU - Ibnouelghazi, Elalami AU - Ech-Chamikh，Elmaati PY - 2021 DA - 2021/08/30 TI -射频溅射功率和沉积时间对氧化铟锡薄膜的光学和电学性质SP - 5556305六世- 2021 AB -氧化铟锡(ITO)薄膜在太阳能电池被广泛用作透明导电电极、气体传感器、以及汽车窗户，因为它们的高电导率和良好的光学透明度在可见光区域。本工作以90% In的ITO靶为靶材，采用阴极射频溅射法制备了ITO薄膜₂O_3.和10%的SnO₂．采用x射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和x射线反射仪(XRR)研究了其结构性能。采用四点法进行电测量，研究霍尔效应。最后用紫外-可见-近红外分光光度法测定其光学性质。研究了射频功率和沉积时间对电光性能的影响。结果表明，在110-80 W的射频功率下，可以制备出低电阻率的晶体样品，这是TCO半导体的目标特性。电测量结果表明，随着射频功率和/或沉积时间的增加，电阻率降低。SN - 1687-8434 UR - https://doi.org/10.1155/2021/5556305 DO - 10.1155/2021/5556305 JF - Advances in Materials Science and Engineering PB - Hindawi KW - ER -