TY -的A2 Riveiro安东尼奥AU -王,小燕盟——赵余庆PY - 2015 DA - 2015/12/29 TI -研究电导率和四面体非晶碳薄膜的微观结构由硼掺杂SP - 727285六世- 2015 AB -一种四面体非晶碳(四)电影(四:B)硼掺杂的关注。四的电影是由过滤阴极真空电弧(FCVA)技术,然后用硼掺杂使用热扩散方法。的微观结构和电导率四特点是x射线光电子能谱(XPS)法和four-probe法,分别。四:B的结果表明,导电率显著增加;1.5×10的电阻率降低⁶Ω·约厘米到350Ω·厘米,而sp的百分比³债券在这部电影从约87%至60%。这意味着这种类型的电影保存了类金刚石碳(DLC)薄膜的力学特性,提高了电特性极大地在同一时间。SN - 1687 - 8434你2015/727285 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2015/727285——摩根富林明-材料科学与工程的进步PB Hindawi出版公司KW - ER