TY -的A2 - Lv, Guocheng盟——曾中良PY - 2015 DA - 2015/03/22 TI -采用基于研究N原子的结构和电子性质Doped-Rutile TiO₂氧气空缺SP - 670243提出的六世- 2015 AB -考虑电子中性的实际情况,模拟一直下降的基础上,选择双N和研究氧空位的位置。发现水晶材料变小的原因是由于杂质含量的出现。通过引入氧空位的结构,结果表明,当两个氮原子附近的氧空位是背靠背的位置,它的能量得到的最低水平及其结构得到最稳定的状态。从其能带结构和密度,作者发现杂质元素不会影响迁移费米能级而氧空位的增加。相反,金属原子转移到传导带的费米能级,然后形成了n型半导体材料,但催化活性不如双N-doping状态。SN - 1687 - 8434你2015/670243 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2015/670243——摩根富林明-材料科学与工程的进步PB Hindawi出版公司KW - ER