冯TY - A2的赵盟——Lawrowski,罗伯特•Damian AU - Prommesberger基督教非盟-兰格,Christoph盟——大坝,Florian盟——称鲁珀特•PY - 2014 DA - 2014/04/06 TI -改善均匀性和长宽比反应离子刻蚀硅场致发射的技巧的SP - 948708六世- 2014 AB -发射器的同质性是非常重要的场致发射(FE)设备的性能。反应离子刻蚀(RIE)和氧化硅产生重大影响的几何技巧。RIE影响主要排放国的各向异性。各向异性压力有很强的影响因素。减少的压力导致更高的各向异性,但腐蚀率也低。长时间腐蚀补偿这种影响。此外观察同质性的改进。的影响,提高出力的各向异性系数很低,但重要的同质性。在低功率发射器的高度和削弱更持续的在整个晶片。氧化本身非常均匀,没有显著影响进一步变化的同质性。 This modified fabrication process allows solving the problem of inhomogeneity of previous field emission arrays. SN - 1687-8434 UR - https://doi.org/10.1155/2014/948708 DO - 10.1155/2014/948708 JF - Advances in Materials Science and Engineering PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -