冯TY - A2的赵盟-阿罗约,罗伯托·巴卡PY - 2013 DA - 2013/12/10 TI - Nonlinear-Electronic运输超薄薄膜生长的晶粒取向铁箔SP - 987572六世在Fe - 2013 AB - Nonlinear-electronic运输₂O₃超薄薄膜的热氧化生长晶粒取向铁箔是由电流电压特性研究在室温下氧化温度的函数。微观结构的形成及其变化进行了原子力显微镜和x射线衍射研究。x射线衍射表明,平均晶粒尺寸是弱温度增加而增长。电流电压特性的分析显示电阻政权在低电压和空间电荷限制政权在更高的电压。出发的影响导致不连续晶粒生长的衬托。此外,nonlinear-electronic铁的运输₂O₃超薄薄膜氧化可能是有用的适应性设计的电子设备。SN - 1687 - 8434你2013/987572 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2013/987572——摩根富林明-材料科学与工程的进步PB Hindawi出版公司KW - ER